Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología avanzada de semiconductores, ha anunciado su demostración de la primera computación en memoria del mundo basada en MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory). El artículo sobre esta innovación fue publicado en Nature el 12 de enero y está previsto que se publique en la próxima edición impresa de la revista. Bajo el título “Una matriz de dispositivos de memoria magnetorresistiva para la computación”, este artículo muestra el liderazgo de Samsung en tecnología de memoria y su esfuerzo por fusionar la memoria y los sistemas de semiconductores para los chips de inteligencia artificial (IA) de próxima generación.